文献
J-GLOBAL ID:200902233263428184
整理番号:08A0340577
多結晶SiCにおけるアンチサイト欠陥の解析と配置
Analysis and location of antisite defects in polycrystalline SiC
著者 (1件):
TAKESHITA Tetsuyoshi
(Dep. of Electronics and Information Engineering, Ishikawa National Coll. of Technol., Tsubata, Kahoku-gun, Ishikawa ...)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
103
号:
6
ページ:
063521
発行年:
2008年03月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)