文献
J-GLOBAL ID:200902234971971579
整理番号:09A0599461
焼なましにより単結晶基板上で製造されたAuショットキー接触を持つソーラー・ブラインドβ-Ga2O3光ダイオードにおける応答性の増幅
Enhancement of responsivity in solar-blind β-Ga2O3 photodiodes with a Au Schottky contact fabricated on single crystal substrates by annealing
著者 (5件):
SUZUKI Rikiya
(Dep. of Information Technol. and Electronics, Fac. of Sci. and Engineering, Ishinomaki Senshu Univ., 1 Shinmito ...)
,
NAKAGOMI Shinji
(Dep. of Information Technol. and Electronics, Fac. of Sci. and Engineering, Ishinomaki Senshu Univ., 1 Shinmito ...)
,
KOKUBUN Yoshihiro
(Dep. of Information Technol. and Electronics, Fac. of Sci. and Engineering, Ishinomaki Senshu Univ., 1 Shinmito ...)
,
ARAI Naoki
(Nippon Light Metal Co., Ltd., 1-34-1 Kambara, Shimizu-ku, Shizuoka 421-3291, JPN)
,
OHIRA Shigeo
(Nippon Light Metal Co., Ltd., 1-34-1 Kambara, Shimizu-ku, Shizuoka 421-3291, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
94
号:
22
ページ:
222102
発行年:
2009年06月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)