文献
J-GLOBAL ID:200902235304520468
整理番号:05A0060741
水素化非晶質シリコンの熱アニール/酸化により作製したSiナノドットの形成制御
Control on the formation of Si nanodots fabricated by thermal annealing/oxidation of hydrogenated amorphous silicon
著者 (4件):
HAZRA S
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SAKATA I
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YAMANAKA M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI E
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
96
号:
12
ページ:
7532-7536
発行年:
2004年12月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)