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文献
J-GLOBAL ID:200902235451743618   整理番号:07A0615781

フラッシュメモリにおけるランダム電信信号:90nmノード以降の多値フラッシュメモリのスケーリングにおよぼすその影響

Random Telegraph Signal in Flash Memory: Its Impact on Scaling of Multilevel Flash Memory Beyond the 90-nm Node
著者 (10件):
KURATA Hideaki
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
OTSUGA Kazuo
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
KOTABE Akira
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
KAJIYAMA Shinya
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
OSABE Taro
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
SASAGO Yoshitaka
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
NARUMI Shunichi
(Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
TOKAMI Kenji
(Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
KAMOHARA Shiro
(Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
TSUCHIYA Osamu
(Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)

資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)

巻: 42  号:ページ: 1362-1369  発行年: 2007年06月 
JST資料番号: B0761A  ISSN: 0018-9200  CODEN: IJSCBC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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