文献
J-GLOBAL ID:200902235451743618
整理番号:07A0615781
フラッシュメモリにおけるランダム電信信号:90nmノード以降の多値フラッシュメモリのスケーリングにおよぼすその影響
Random Telegraph Signal in Flash Memory: Its Impact on Scaling of Multilevel Flash Memory Beyond the 90-nm Node
著者 (10件):
KURATA Hideaki
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
OTSUGA Kazuo
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KOTABE Akira
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAJIYAMA Shinya
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
OSABE Taro
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
SASAGO Yoshitaka
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
NARUMI Shunichi
(Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
,
TOKAMI Kenji
(Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
,
KAMOHARA Shiro
(Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
,
TSUCHIYA Osamu
(Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻:
42
号:
6
ページ:
1362-1369
発行年:
2007年06月
JST資料番号:
B0761A
ISSN:
0018-9200
CODEN:
IJSCBC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)