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著者 (9件)：
資料名：
巻： 44 号： 4B ページ： 2520-2522 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902235706412882
整理番号：05A0535236
超低しきい電流密度1.3μm量子ドットレーザの成長,作製および操作特性
Growth, Fabrication, and Operating Characteristics of Ultra-Low Threshold Current Density 1.3μm Quantum Dot Lasers
RAY Sumon K.
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
GROOM Kristian M.
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
HOGG Richard A.
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
LIU Hui-Yun
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
SELLERS Ian R.
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
HOPKINSON Mark
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
BADCOCK Tom J.
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
RAMSAY Andrew J.
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
MOWBRAY David J.
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 4B ページ： 2520-2522 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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