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資料名：
巻： 95 号： 1 ページ： 011911 発行年： 2009年07月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902237461354167
整理番号：09A0734116
n型の張力で歪ませたGeオンSiの直接ギャップ光ルミネセンス
Direct gap photoluminescence of n-type tensile-strained Ge-on-Si
SUN Xiaochen
(Microphotonics Center, Massachusetts Inst. of Technol., Bldg. 13-4118, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge ...)
,
LIU Jifeng
(Microphotonics Center, Massachusetts Inst. of Technol., Bldg. 13-4118, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge ...)
,
KIMERLING Lionel C.
(Microphotonics Center, Massachusetts Inst. of Technol., Bldg. 13-4118, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge ...)
,
MICHEL Jurgen
(Microphotonics Center, Massachusetts Inst. of Technol., Bldg. 13-4118, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 95 号： 1 ページ： 011911 発行年： 2009年07月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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