文献
J-GLOBAL ID:200902237806041728
整理番号:05A1022911
雰囲気加熱によるSi基板上のSiO2薄膜の厚み計測工学のための浄化法
Cleaning Method for Thickness Metrology of SiO2 Thin Films on Si Substrates by Heating in Atmosphere
著者 (3件):
AZUMA Yasushi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
FUJIMOTO Toshiyuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
KOJIMA Isao
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
44
号:
11
ページ:
8256-8258
発行年:
2005年11月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)