Sorry, this section is only available in Japanese.
前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:200902237850505901   整理番号:07A0067458

完全空乏型SOI MOSFETにおける重イオン誘起過渡電流の時間領域成分解析

Time-Domain Component Analysis of Heavy-Ion-Induced Transient Currents in Fully-Depleted SOI MOSFETs
著者 (7件):
KOBAYASHI Daisuke
(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)
KOBAYASHI Daisuke
(Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN)
AIMI Masahiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
SAITO Hirobumi
(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)
SAITO Hirobumi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
HIROSE Kazuyuki
(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)
HIROSE Kazuyuki
(Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN)

資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)

巻: 53  号: 6,Pt.1  ページ: 3372-3378  発行年: 2006年12月 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。