文献
J-GLOBAL ID:200902237850505901
整理番号:07A0067458
完全空乏型SOI MOSFETにおける重イオン誘起過渡電流の時間領域成分解析
Time-Domain Component Analysis of Heavy-Ion-Induced Transient Currents in Fully-Depleted SOI MOSFETs
著者 (7件):
KOBAYASHI Daisuke
(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI Daisuke
(Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN)
,
AIMI Masahiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SAITO Hirobumi
(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)
,
SAITO Hirobumi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HIROSE Kazuyuki
(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)
,
HIROSE Kazuyuki
(Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
53
号:
6,Pt.1
ページ:
3372-3378
発行年:
2006年12月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)