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J-GLOBAL ID：200902238536912990 整理番号：09A0759094

エクゾ電子放出のためのSiドープMgO中の電子エネルギー状態

Electronic energy states in Si-doped MgO for exoelectron emission

著者 (9件)：

HO S.

(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)

,

NOBUKI S.

(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)

,

UEMURA N.

(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)

,

MORI S.

(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)

,

MIYAKE T.

(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)

,

SUZUKI K.

(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)

,

MIKAMI Y.

(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)

,

SHIIKI M.

(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)

,

KUBO S.

(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)

資料名：

Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

巻： 106 号： 1 ページ： 014911 発行年： 2009年07月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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