文献
J-GLOBAL ID:200902238685845723
整理番号:04A0304621
遅い陽電子で探測した酸素注入シリコン中の空格子点-酸素複合体の同定
Identification of vacancy-oxygen complexes in oxygen-implanted silicon probed with slow positrons
著者 (6件):
FUJINAMI M
(Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN)
,
MIYAGOE T
(Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN)
,
SAWADA T
(Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN)
,
SUZUKI R
(National Inst Advanced Industiral Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
OHDAIRA T
(National Inst Advanced Industiral Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
AKAHANE T
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
95
号:
7
ページ:
3404-3410
発行年:
2004年04月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)