文献
J-GLOBAL ID:200902238771510777
整理番号:09A1120230
テラヘルツ放射素子用のGaAs/AlAs結合多層空洞構造
GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures for terahertz emission devices
著者 (5件):
KITADA Takahiro
(Center for Frontier Res. of Engineering, Inst. of Technol. and Sci., The Univ. of Tokushima, Tokushima 770-8506, JPN)
,
TANAKA Fumiya
(Center for Frontier Res. of Engineering, Inst. of Technol. and Sci., The Univ. of Tokushima, Tokushima 770-8506, JPN)
,
TAKAHASHI Tomoya
(Center for Frontier Res. of Engineering, Inst. of Technol. and Sci., The Univ. of Tokushima, Tokushima 770-8506, JPN)
,
MORITA Ken
(Center for Frontier Res. of Engineering, Inst. of Technol. and Sci., The Univ. of Tokushima, Tokushima 770-8506, JPN)
,
ISU Toshiro
(Center for Frontier Res. of Engineering, Inst. of Technol. and Sci., The Univ. of Tokushima, Tokushima 770-8506, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
95
号:
11
ページ:
111106
発行年:
2009年09月14日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)