文献
J-GLOBAL ID:200902239262520891
整理番号:03A0381306
非対称単一電子トンネリングトランジスタのコンパクト解析モデル
A Compact Analytical Model for Asymmetric Single-Electron Tunneling Transistors.
著者 (2件):
INOKAWA H
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
TAKAHASHI Y
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
50
号:
2
ページ:
455-461
発行年:
2003年02月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)