文献
J-GLOBAL ID:200902240368793909
整理番号:03A0552817
液相エピタクシーによりGaSbパターン化基板上に成長させた中空な角錐構造GaSbエピ層の欠陥フィルタ
Defect filtration of hollow pyramidal structured GaSb epilayers grown on GaSb patterned substrates by liquid phase epitaxy
著者 (5件):
ZHANG G
(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
,
BALAKRISHNAN K
(West Virginia Univ., WV, USA)
,
KOYAMA T
(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
,
KUMAGAWA M
(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
,
HAYAKAWA Y
(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
256
号:
3/4
ページ:
243-247
発行年:
2003年09月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)