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文献
J-GLOBAL ID:200902240445160213   整理番号:04A0710033

水素化非晶質炭素薄膜の電気的,構造的特性へのシリコンドーピングと熱処理の効果

The effect of silicon doping and thermal annealing on the electrical and structural properties of hydrogenated amorphous carbon thin films
著者 (4件):
OKPALUGO T I T
(Univ. Ulster, Belfast, GBR)
MAGUIRE P D
(Univ. Ulster, Belfast, GBR)
OGWU A A
(Univ. Ulster, Belfast, GBR)
MCLAUGHLIN J A D
(Univ. Ulster, Belfast, GBR)

資料名:
Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)

巻: 13  号: 4/8  ページ: 1549-1552  発行年: 2004年04月 
JST資料番号: W0498A  ISSN: 0925-9635  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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