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資料名：
巻： 83 号： 23 ページ： 4788-4790 発行年： 2003年12月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902240704562880
整理番号：03A0869040
様々な方法で成長した0.7~2eV領域に吸収端をもつ単結晶InN膜と実際のバンドギャップエネルギーの証拠
Single-crystalline InN films with an absorption edge between 0.7 and 2 eV grown using different techniques and evidence of the actual band gap energy
BHUIYAN A G
(Fukui Univ., Fukui, JPN)
,
SUGITA K
(Fukui Univ., Fukui, JPN)
,
KASASHIMA K
(Fukui Univ., Fukui, JPN)
,
HASHIMOTO A
(Fukui Univ., Fukui, JPN)
,
YAMAMOTO A
(Fukui Univ., Fukui, JPN)
,
DAVYDOV V YU
(Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 83 号： 23 ページ： 4788-4790 発行年： 2003年12月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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