文献
J-GLOBAL ID:200902240758173405
整理番号:03A0256408
ドープ酸化物源を用いた予備堆積後のドライブイン拡散中の酸化物/Si界面におけるSbの集積
Sb Pile-up at Oxide/Si Interface during Drive-in Diffusion after Predeposition Using Doped Oxide Source.
著者 (4件):
ICHINO T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
UCHIDA H
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ICHIMURA M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ARAI E
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
42
号:
3
ページ:
1139-1144
発行年:
2003年03月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)