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資料名：
巻： 94 号： 19 ページ： 191107 発行年： 2009年05月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902240865155266
整理番号：09A0531430
高濃度nドープしたゲルマニウムの光ルミネセンス増強
Enhanced photoluminescence of heavily n-doped germanium
EL KURDI M.
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA)
,
KOCINIEWSKI T.
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA)
,
NGO T.-p.
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA)
,
BOULMER J.
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA)
,
DEBARRE D.
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA)
,
BOUCAUD P.
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA)
,
DAMLENCOURT J. F.
(CEA-DRT-LETI, 17 rue des martyrs 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)
,
KERMARREC O.
(STMicroelectronics, Rue Jean Monnet 38054 Crolles, FRA)
,
BENSAHEL D.
(STMicroelectronics, Rue Jean Monnet 38054 Crolles, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 94 号： 19 ページ： 191107 発行年： 2009年05月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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