文献
J-GLOBAL ID:200902240889450676
整理番号:04A0709928
様々な仕事関数で基板に成長させた窒化ほう素ナノ膜の電界放出特性
Field emission characteristics of boron nitride nanofilms deposited on substrate with various work functions
著者 (4件):
FUNAKAWA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YAMAMURO Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
LUO H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SUGINO T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻:
13
号:
4/8
ページ:
994-998
発行年:
2004年04月
JST資料番号:
W0498A
ISSN:
0925-9635
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)