文献
J-GLOBAL ID:200902241487259798
整理番号:03A0817624
MOVPEによって成長させたSbをドープしたZnSeの深い正孔捕獲準位
Deep hole trap levels of Sb-doped ZnSe grown by MOVPE
著者 (2件):
IDO T
(Chubu Univ., Aichi, JPN)
,
GOTO H
(Chubu Univ., Aichi, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
259
号:
3
ページ:
257-261
発行年:
2003年12月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)