文献
J-GLOBAL ID:200902242136278652
整理番号:06A0402526
O<sub>3</sub>を酸化剤として用いるALDによる酸化アルミニウム薄膜の低温(<100°C)析出
Low Temperature (<100°C) Deposition of Aluminum Oxide Thin Films by ALD with O<sub>3</sub> as Oxidant
著者 (6件):
KIM Seong Keun
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Suk Woo
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
HWANG Cheol Seong
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
MIN Yo-Sep
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi-do, KOR)
,
WON Jeong Yeon
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi-do, KOR)
,
JEONG Jaehack
(Ever-tek Co., Sungnam Kyunggi-do, KOR)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
153
号:
5
ページ:
F69-F76
発行年:
2006年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)