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著者 (6件)：
資料名：
巻： 21 号： 5 ページ： 2163-2168 発行年： 2003年09月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902242673062305
整理番号：03A0762864
誘導結合プラズマ中のAr/CHF3,Ar/Cl2,及びAr/BCl3ガス化学を用いたTiN膜のドライエッチング特性
Dry etching characteristics of TiN film using Ar/CHF3, Ar/Cl2, and Ar/BCl3 gas chemistries in an inductively coupled plasma
TONOTANI J
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
IWAMOTO T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SATO F
(Toshiba Corp., Oita, JPN)
,
HATTORI K
(Toshiba Corp., Oita, JPN)
,
OHMI S
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
IWAI H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 21 号： 5 ページ： 2163-2168 発行年： 2003年09月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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