文献
J-GLOBAL ID:200902242876630929
整理番号:03A0549715
SiF4を用いた高周波容量結合プラズマによるSi,SiF及びSiF2ラジカルとSiF4分子の測定
Measurement of Si, SiF, and SiF2 radicals and SiF4 molecule using very high frequency capacitively coupled plasma employing SiF4
著者 (8件):
OHTA T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HARA K
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ISHIDA T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HORI M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
GOTO T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ITO M
(Wakayama Univ., Wakayama, JPN)
,
KAWAKAMI S
(Tokyo Electron Tohoku Ltd., Kanagawa, JPN)
,
ISHII N
(Tokyo Electron Ltd., Osaka, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
94
号:
3
ページ:
1428-1435
発行年:
2003年08月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)