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資料名：
巻： 271 号： 3/4 ページ： 358-367 発行年： 2004年11月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902242966292054
整理番号：04A0858269
インゴット焼きなましプロセスの間のGaAsバルク単結晶の転位密度解析 いくつかの計算法の比較
Dislocation density analysis of GaAs bulk single crystal during ingot annealing process (comparison among several computational methods)
MIYAZAKI N
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KUMAMOTO A
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
HARADA C
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 271 号： 3/4 ページ： 358-367 発行年： 2004年11月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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