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J-GLOBAL ID：200902243179384991 整理番号：07A0391099

リードライト動作安定化回路を用いて製造容易化設計した6T-SRAMを内蔵した65nmSoC

A 65-nm SoC Embedded 6T-SRAM Designed for Manufacturability With Read and Write Operation Stabilizing Circuits

著者 (16件)：

OHBAYASHI Shigeki

(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)

YABUUCHI Makoto

(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)

NII Koji

(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)

TSUKAMOTO Yasumasa

(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)

IMAOKA Susumu

(Renesas Design Corp., Hyogo, JPN)

ODA Yuji

(Shikino High-Tech Corp., Osaka, JPN)

YOSHIHARA Tsutomu

(Waseda Univ., Fukuoka, JPN)

IGARASHI Motoshige

(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)

TAKEUCHI Masahiko

(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)

KAWASHIMA Hiroshi

(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)

YAMAGUCHI Yasuo

(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)

TSUKAMOTO Kazuhiro

(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)

INUISHI Masahide

(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)

MAKINO Hiroshi

(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)

ISHIBASHI Koichiro

(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)

SHINOHARA Hirofumi

(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)

資料名：

IEEE Journal of Solid-State Circuits (IEEE Journal of Solid-State Circuits)

巻： 42 号： 4 ページ： 820-829 発行年： 2007年04月
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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