文献
J-GLOBAL ID:200902243724001892
整理番号:05A0315942
天然酸化けい素をもつSi基板上に成長させたGaNナノロッド膜による電界電子放出
Electron field emission from GaN nanorod films grown on Si substrates with native silicon oxides
著者 (6件):
YAMASHITA T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HASEGAWA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NISHIDA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ISHIMARU M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HIROTSU Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ASAHI H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
86
号:
8
ページ:
082109.1-082109.3
発行年:
2005年02月21日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)