文献
J-GLOBAL ID:200902244680207222
整理番号:04A0571978
けい素上の金属-絶縁体転移における表面状態電気伝導率
Surface-State Electrical Conductivity at a Metal-Insulator Transition On Silicon
著者 (4件):
TANIKAWA T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MATSUDA I
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KANAGAWA T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HASEGAWA S
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
93
号:
1
ページ:
016801.1-016801.4
発行年:
2004年07月02日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)