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資料名：
巻： 48 号： 9,Issue 1 ページ： 091203.1-091203.5 発行年： 2009年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902245178108942
整理番号：09A1035287
多結晶シリコン薄膜の金属誘起横方向結晶化の過程における指向性横方向成長による欠陥の抑制
Suppression of Defects during Metal-Induced Lateral Crystallization of Polycrystalline-Silicon Thin Films by Directed Lateral Growth
KITAHARA Kuninori
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
KAMBARA Junji
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
KOBATA Mitsunori
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
TSUDA Hiroshi
(Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 9,Issue 1 ページ： 091203.1-091203.5 発行年： 2009年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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