文献
J-GLOBAL ID:200902245777711878
整理番号:08A1099519
CeO2(100)/Si(100)の電子ビーム誘起配向選択エピタクシーにおける成長パラメータの最適化
Optimization of Growth Parameters in Electron-Beam-Induced Orientation Selective Epitaxy of CeO2(100)/Si(100) Structures
著者 (4件):
INOUE T.
(Iwaki Meisei Univ., Iwaki, JPN)
,
OHTAKE H.
(Iwaki Meisei Univ., Iwaki, JPN)
,
OTANI J.
(Iwaki Meisei Univ., Iwaki, JPN)
,
SHIDA S.
(Iwaki Meisei Univ., Iwaki, JPN)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
155
号:
11
ページ:
G237-G240
発行年:
2008年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)