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資料名：
巻： 88 号： 9 ページ： 092106-092106-3 発行年： 2006年02月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902246015196069
整理番号：06A0178315
深紫外透明酸化物半導体Ga2O3のエピタキシャル薄膜における電場誘起電流変調
Field-induced current modulation in epitaxial film of deep-ultraviolet transparent oxide semiconductor Ga2O3
MATSUZAKI Kosuke
(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., Mailbox R3-1, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
YANAGI Hiroshi
(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., Mailbox R3-1, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
KAMIYA Toshio
(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., Mailbox R3-1, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
,
HIRAMATSU Hidenori
(ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST), in Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol. ...)
,
NOMURA Kenji
(ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST), in Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol. ...)
,
HIRANO Masahiro
(ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST), in Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol. ...)
,
HOSONO Hideo
(Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Mailbox S2-13, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 88 号： 9 ページ： 092106-092106-3 発行年： 2006年02月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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