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資料名：
巻： 48 号： 3,Issue 3 ページ： 03B007.1-03B007.4 発行年： 2009年03月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902246474315313
整理番号：09A0334316
インデント誘導固相結晶化による絶縁体上のSiGe結晶結晶粒の位置制御した成長
Position-Controlled Growth of SiGe Crystal Grains on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization
TOKO Kaoru
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
SADOH Taizoh
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MIYAO Masanobu
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 3,Issue 3 ページ： 03B007.1-03B007.4 発行年： 2009年03月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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