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著者 (9件)：
資料名：
巻： 42 号： 4B ページ： 2415-2418 発行年： 2003年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902247432297427
整理番号：03A0393134
チャンネルとして位置制御成長カーボンナノチューブを用いた5000Kの超高Coulombエネルギーをもつ単電子トランジスタ
Single-Electron Transistor with Ultra-High Coulomb Energy of 5000K Using Position Controlled Grown Carbon Nanotube as Channel
MATSUMOTO K
(Advanced Industrial Sci. & Technol., Ibaraki, JPN)
,
KINOSHITA S
(Advanced Industrial Sci. & Technol., Ibaraki, JPN)
,
KURACHI K
(Advanced Industrial Sci. & Technol., Ibaraki, JPN)
,
KAMIMURA T
(Advanced Industrial Sci. & Technol., Ibaraki, JPN)
,
MAEDA M
(Advanced Industrial Sci. & Technol., Ibaraki, JPN)
,
SAKAMOTO K
(Advanced Industrial Sci. & Technol., Ibaraki, JPN)
,
KUWAHARA M
(Advanced Industrial Sci. & Technol., Ibaraki, JPN)
,
ATODA N
(Advanced Industrial Sci. & Technol., Ibaraki, JPN)
,
AWANO Y
(Fujitsu Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 4B ページ： 2415-2418 発行年： 2003年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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