文献
J-GLOBAL ID:200902247579824414
整理番号:08A0548925
AlGaNのチャンネルを持つ高電子移動度トランジスタの初めての動作
First Operation of AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors
著者 (9件):
NANJO Takuma
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TAKEUCHI Misaichi
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
TAKEUCHI Misaichi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
SUITA Muneyoshi
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
ABE Yuji
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
OISHI Toshiyuki
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TOKUDA Yasunori
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
AOYAGI Yoshinobu
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
AOYAGI Yoshinobu
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
1
号:
1
ページ:
011101.1-011101.3
発行年:
2008年01月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)