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文献
J-GLOBAL ID:200902247878246249   整理番号:09A1237465

HfO2ゲート絶縁体を用いた常時オフモードGaNおよびAlGaN/GaN MOSFETの製造

Fabrication of normally-off mode GaN and AlGaN/GaN MOSFETs with HfO2 gate insulator
著者 (8件):
SUGIURA S.
(Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN)
HAYASHI Y.
(Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN)
KISHIMOTO S.
(Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN)
KISHIMOTO S.
(Venture Business Lab., Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN)
MIZUTANI T.
(Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN)
KURODA M.
(Semiconductor Device Res. Center Semiconductor Co. Panasonic Corp., 1 Kotari-Yakemachi, Nagaokakyou 617-8520, JPN)
UEDA T.
(Semiconductor Device Res. Center Semiconductor Co. Panasonic Corp., 1 Kotari-Yakemachi, Nagaokakyou 617-8520, JPN)
TANAKA T.
(Semiconductor Device Res. Center Semiconductor Co. Panasonic Corp., 1 Kotari-Yakemachi, Nagaokakyou 617-8520, JPN)

資料名:
Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)

巻: 54  号:ページ: 79-83  発行年: 2010年01月 
JST資料番号: H0225A  ISSN: 0038-1101  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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