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著者 (5件)：
資料名：
巻： 17 号： 3 ページ： 373-378 発行年： 2004年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902248001882159
整理番号：04A0504166
深UVリソグラフィーのための化学増幅を用いる表面シリル化1重層レジスト:IIIb。PAGとその含量の最適化
A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification for Deep UV Lithography: IIIb. Optimization of PAG and Its Content
SUGITA K
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
MIYATA H
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
HARADA K
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
KUSHIDA M
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
SAITO K
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名：
Journal of Photopolymer Science and Technology
(Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 17 号： 3 ページ： 373-378 発行年： 2004年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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