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著者 (3件)：
資料名：
巻： 44 号： 2 ページ： 874-879 発行年： 2005年02月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902248048219458
整理番号：05A0306846
TMGa/NH3/H2システムを用いた有機金属気相エピタキシーによるGaN成長の反応経路のモデル化:コンピュータによる流体力学シミュレーション研究
Modeling of Reaction Pathways of GaN Growth by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy Using TMGa/NH3/H2 System: A Computational Fluid Dynamics Simulation Study
HIRAKO A
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
KUSAKABE K
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
OHKAWA K
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 2 ページ： 874-879 発行年： 2005年02月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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