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J-GLOBAL ID:200902249128264566   整理番号:05A0682273

分子ビームエピタクシーにより(411)A InP基板上に成長させたInGaAs/AlAsSb量子井戸構造の平坦界面の大幅な改善

Much improved flat interfaces of InGaAs/AlAsSb quantum well structures grown on (411)A InP substrates by molecular-beam epitaxy
著者 (7件):
IMURA M.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
KUROHARA H.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
MASUI Y.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
ASANO T.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
KITADA T.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
SHIMOMURA S.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
HIYAMIZU S.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)

資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

巻: 23  号:ページ: 1158-1161  発行年: 2005年05月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 1071-1023  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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