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著者 (7件)：
資料名：
巻： 23 号： 3 ページ： 1158-1161 発行年： 2005年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902249128264566
整理番号：05A0682273
分子ビームエピタクシーにより(411)A InP基板上に成長させたInGaAs/AlAsSb量子井戸構造の平坦界面の大幅な改善
Much improved flat interfaces of InGaAs/AlAsSb quantum well structures grown on (411)A InP substrates by molecular-beam epitaxy
IMURA M.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KUROHARA H.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MASUI Y.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ASANO T.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KITADA T.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHIMOMURA S.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HIYAMIZU S.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 23 号： 3 ページ： 1158-1161 発行年： 2005年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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