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著者 (4件)：
資料名：
巻： 23 号： 10 ページ： 105019,1-9 発行年： 2008年10月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902249293695806
整理番号：08A1094323
先進デバイス用Si1-xGexの高圧in situ HClエッチングのSiに対する選択性
High pressure in situ HCl etching of Si1-xGex versus Si for advanced devices
DESTEFANIS V
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
HARTMANN J M
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
BOREL S
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
BENSAHEL D
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 23 号： 10 ページ： 105019,1-9 発行年： 2008年10月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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