文献
J-GLOBAL ID:200902249527983460
整理番号:06A0722313
室温rfマグネトロンスパッタリングによって製作した非晶質InGaZnO4チャネルをもつ高移動度薄膜トランジスタ
High-mobility thin-film transistor with amorphous InGaZnO4 channel fabricated by room temperature rf-magnetron sputtering
著者 (9件):
YABUTA Hisato
(Canon Res. Center, Canon Inc., 3-30-2 Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 146-8501, JPN)
,
SANO Masafumi
(Canon Res. Center, Canon Inc., 3-30-2 Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 146-8501, JPN)
,
ABE Katsumi
(Canon Res. Center, Canon Inc., 3-30-2 Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 146-8501, JPN)
,
AIBA Toshiaki
(Canon Res. Center, Canon Inc., 3-30-2 Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 146-8501, JPN)
,
DEN Tohru
(Canon Res. Center, Canon Inc., 3-30-2 Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 146-8501, JPN)
,
KUMOMI Hideya
(Canon Res. Center, Canon Inc., 3-30-2 Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 146-8501, JPN)
,
NOMURA Kenji
(ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 ...)
,
KAMIYA Toshio
(ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 ...)
,
HOSONO Hideo
(ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
89
号:
11
ページ:
112123-112123-3
発行年:
2006年09月11日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)