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著者 (5件)：
資料名：
巻： 12 号： 8/9 ページ： 523-530 発行年： 2006年08月
JST資料番号： W0908A ISSN： 0948-1907 CODEN： CVDEFX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902249645826221
整理番号：06A0740071
3C-SiCベースMOSFETsの作製と評価
Fabrication and Characterization of 3C-SiC-Based MOSFETs
SCHOENER Adolf
(ACREO AB, Kista-Stockholm, SWE)
,
KRIEGER Michael
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
PENSL Gerhard
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
ABE Masayuki
(Hoya Advanced Semiconductor Technol. Co. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
NAGASAWA Hiroyuki
(Hoya Advanced Semiconductor Technol. Co. Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名：
Chemical Vapor Deposition
(Chemical Vapor Deposition)
巻： 12 号： 8/9 ページ： 523-530 発行年： 2006年08月
JST資料番号： W0908A ISSN： 0948-1907 CODEN： CVDEFX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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