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資料名：
巻： 46 号： 11 ページ： 7217-7220 発行年： 2007年11月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902249763190838
整理番号：07A1152227
深紫外光検出器への応用を目的としたGa2O3薄膜の分子ビームエピタクシーによるc-面サファイア基板上への成長
Ga2O3 Thin Film Growth on c-Plane Sapphire Substrates by Molecular Beam Epitaxy for Deep-Ultraviolet Photodetectors
OSHIMA Takayoshi
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
OKUNO Takeya
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
FUJITA Shizuo
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46 号： 11 ページ： 7217-7220 発行年： 2007年11月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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