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著者 (6件)：
資料名：
巻： 22 号： 1 ページ： S231-S235 発行年： 2007年01月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902250792593923
整理番号：07A0106209
いろいろな型の基板上に成長させた歪緩和したGe1-xSixバッファ層の成長と構造の評価
Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge1-xSnx buffer layers grown on various types of substrates
TAKEUCHI Shotaro
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SAKAI Akira
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YAMAMOTO Koji
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
NAKATSUKA Osamu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
OGAWA Masaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ZAIMA Shigeaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 22 号： 1 ページ： S231-S235 発行年： 2007年01月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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