文献
J-GLOBAL ID:200902251014537273
整理番号:03A0685432
原子層エピタクシーによるGe(100)基板上へのZrO2の局所エピタキシャル成長
Local epitaxial growth of ZrO2 on Ge (100) substrates by atomic layer epitaxy
著者 (4件):
KIM H
(Stanford Univ., California)
,
CHUI C O
(Stanford Univ., California)
,
SARASWAT K C
(Stanford Univ., California)
,
MCINTYRE P C
(Stanford Univ., California)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
83
号:
13
ページ:
2647-2649
発行年:
2003年09月29日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)