文献
J-GLOBAL ID:200902251473444563
整理番号:05A0819914
Cuの濡れ性とCuメタル化用Ru薄膜の拡散障壁特性
Cu Wettability and Diffusion Barrier Property of Ru Thin Film for Cu Metallization
著者 (7件):
KIM Hoon
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KOSEKI Toshihiko
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
OHBA Takayuki
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
OHTA Tomohiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KOJIMA Yasuhiko
(Tokyo Electron AT, Ltd., Yamanashi, JPN)
,
SATO Hiroshi
(Tokyo Electron AT, Ltd., Yamanashi, JPN)
,
SHIMOGAKI Yukihiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
152
号:
8
ページ:
G594-G600
発行年:
2005年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)