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著者 (5件)：
資料名：
巻： 224 号： 1/4 ページ： 270-273 発行年： 2004年03月15日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902251703708069
整理番号：04A0196404
多層チャネルMOSFETの提案 Si/SiGe積層への選択エッチング適用
Proposal of a multi-layer channel MOSFET: the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers
SASAKI D
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
OHMI S
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
SAKURABA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MUROTA J
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAKAI T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 224 号： 1/4 ページ： 270-273 発行年： 2004年03月15日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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