文献
J-GLOBAL ID:200902252207962288
整理番号:05A0824954
電子-光サンプリング技術を用いたInGaAs/InAlAs HEMT過渡応答のキャラクタリゼーション
Characterization of the InGaAs/InAlAs HEMT Transit Output Response by Using an Electro-Optical Sampling Technique
著者 (5件):
KIM Seong-Jin
(Itswell Co., Ltd., Chungbuk)
,
ITATANI T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SUGAYA T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OGURA M.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SUGIYAMA Y.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名:
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻:
47
号:
3
ページ:
520-524
発行年:
2005年09月15日
JST資料番号:
T0357A
ISSN:
0374-4884
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
韓国 (KOR)
言語:
英語 (EN)