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著者 (10件)：
資料名：
巻： 52 号： 9 ページ： 1963-1968 発行年： 2005年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902252258388837
整理番号：05A0771217
ソース-バイア接地(SVG)構造を備えたシリコン基板上のAlGaN/GaNパワーHFET
AlGaN/GaN Power HFET on Silicon Substrate With Source-Via Grounding (SVG) Structure
HIKITA Masahiro
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
YANAGIHARA Manabu
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
NAKAZAWA Kazushi
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
UENO Hiroaki
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
HIROSE Yutaka
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
UEDA Tetsuzo
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
UEMOTO Yasuhiro
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
TANAKA Tsuyoshi
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
UEDA Daisuke
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
EGAWA Takashi
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 52 号： 9 ページ： 1963-1968 発行年： 2005年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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