文献
J-GLOBAL ID:200902252517739031
整理番号:07A1109390
低サーマルバジェトを用いた高性能p-i-n光検知器への薄型Si/SiGeバッファーとともに選択エピタキシャルゲルマニウムからの局所部歪みの影響
Impact of Local Strain From Selective Epitaxial Germanium With Thin Si/SiGe Buffer on High-Performance p-i-n Photodetectors With a Low Thermal Budget
著者 (15件):
LOH W. Y.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
WANG J.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
WANG J.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
YE J. D.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
YANG R.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
NGUYEN H. S.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
CHUA K. T.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
SONG J. F.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
LOH T. H.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
XIONG Y. Z.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
LEE S. J.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
LEE S. J.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
YU M. B.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
LO G. Q.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
KWONG D. L.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
28
号:
11
ページ:
984-986
発行年:
2007年11月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)