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著者 (8件)：
資料名：
巻： 51 号： 6,Pt.2 ページ： 3795-3800 発行年： 2004年12月
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902252620672999
整理番号：05A0054465
超薄型ゲート酸化膜完全空乏型(FD)SOI n型MOSFETのフロント-バックゲート結合効果に及ぼす7.5MeV陽子照射の影響
Impact of 7.5-MeV Proton Irradiation on Front-Back Gate Coupling Effect in Ultra Thin Gate Oxide FD-SOI n-MOSFETs
HAYAMA K
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
TAKAKURA K
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
OHYAMA H
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
RAFI J M
(Inst. Microelectronica de Barcelona (CNM-CSIC), Bellaterra, ESP)
,
MERCHA A
(Inter-Univ. Micro-Electronics Center (IMEC), Leuven, BEL)
,
SIMOEN E
(Inst. Microelectronica de Barcelona (CNM-CSIC), Bellaterra, ESP)
,
CLAEYS C
(Katholieke Univ. (KU) Leuven, Leuven, BEL)
,
KOKKORIS M
(Inst. Nuclear Physics, Athens, GRC)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 51 号： 6,Pt.2 ページ： 3795-3800 発行年： 2004年12月
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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