文献
J-GLOBAL ID:200902253994526623
整理番号:04A0085651
埋め込み金属ゲートをもつInPホットエレクトロントランジスタ
InP Hot Electron Transistors with a Buried Metal Gate
著者 (7件):
MIYAMOTO Y
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
YAMAMOTO R
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
MAEDA H
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
TAKEUCHI K
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
MACHIDA N
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
WERNERSSON L-E
(Lund Univ., Lund, SWE)
,
FURUYA K
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
42
号:
12
ページ:
7221-7226
発行年:
2003年12月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)