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著者 (9件)：
資料名：
巻： 258 号： 1/2 ページ： 113-122 発行年： 2003年10月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902255221816757
整理番号：03A0706700
3インチ直径基板上に成長させた4H-SiCエピタキシャル層の均一性
Uniformity of 4H-SiC epitaxial layers grown on 3-in diameter substrates
NISHIO J
(R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN)
,
HASEGAWA M
(R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN)
,
KOJIMA K
(R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN)
,
OHNO T
(R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN)
,
ISHIDA Y
(Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body, Ibaraki, JPN)
,
TAKAHASHI T
(Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body, Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI T
(R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN)
,
TANAKA T
(R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN)
,
ARAI K
(Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body, Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 258 号： 1/2 ページ： 113-122 発行年： 2003年10月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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